中红外硅

米西尔

描述：

MIRSIL™（中红外硅）

一种用于带扰动的带边缘修正的块状硅技术

中红外（2-5.5µm）检测和成像

概要：

新型MIRSIL™稀土增强硅探测器在中红外光的探测方面被证明是突破性的，最初在2-5.5µm范围内，可以在更长的波长进行探测。利用获得专利的破坏性技术，MIRSIL™突破了1.1 µm的硅带隙势垒，将传统硅中的光电检测扩展到5.5 µm以上的中红外。原型设备的检测能力与当前的中红外材料相当或更好。MIRSIL™承诺提供比当前可用技术在更高温度下运行的设备，从而大大降低检测系统的成本和复杂性，并开拓更大，成本更低的市场。与有毒和/或昂贵的汞，镉，砷和铟等目前的探测器材料相比，MIRSIL™技术对环境的影响要低得多。

MIRSIL™技术：

研究小组表明，硅光电探测器的响应范围可从硅带隙处的1.1 µm扩展到重要的中红外区（5.5µm），甚至超出使用带边修饰的稀土元素硅中的光学跃迁。

目前工作的主要推动力是需要较高的工作温度，中红外探测器和照相机，以实现小尺寸，轻巧和低功耗的特点。相同的需求也推动了诸如nBn之类的降低暗电流技术的发展，但是即使在这里，实现的暗电流仍然受到检测所需的窄带隙的限制。 MIRSIL™原型检测器的工作温度介于77°K至140°K之间，具体取决于暗电流要求，但至关重要的是硅基光电二极管的低暗电流，这比等效光电MCT检测器在77°时小9个数量级以上。 °K，表示MIRSIL™技术可能会导致热电冷却并可能导致室温探测器。这将打开由新兴的“物联网”驱动的环境传感市场。使用MIRSIL™技术的室温，低成本，基于硅的单点和成像设备可以替代环境和工业监控市场中的许多其他技术。

单元素MIRSIL™光电探测器已包装在行业标准的液氮冷却杜瓦瓶中，以向潜在合作伙伴展示第一代MIRSIL™技术。