用于半导体CMP 技术的高纯硅溶胶的研发

集成电路产业的抛光液所需的纳米超高纯硅溶胶几乎完全依赖进口，而研磨材料在 CMP 抛光液中成本占比高达 60~70%，导致 CMP 抛光液国产化仍然面临卡脖子的风险和成本压力。
本项目研发以国外 CMP 抛光液中硅溶胶特征为对标产品，聚焦硅溶胶 纯度、粒度、比表面积、密度、金属杂质含量和形貌等重要特征，采用国际 上最为先进的溶胶凝胶方法，以金属醇盐或其化合物为原料，在酸性或碱性 催化剂的作用下，进行水解缩聚反应，得到符合要求的超高纯硅溶胶，探索硅溶胶固含量、粒径大小、比表面积、金属离子含量、粒度分布等重要参数对抛光效果的影响，获得性能条件最好的超高纯硅溶胶，填补我国在此半导体关键材料的空白。
本项目核心技术成果来源于优士科电子及清华大学共同自主研发，经过近 10 年的基础技术研发，目前已申报纳米超高纯硅溶胶相关专利 20 余项，其中已授权发明专利 6 项，实用新型专利 8 项，PCT 国际专利及台湾专利均已申报。团队参与了《亚纳米精度表面制造基础研究》（国家自然科学基金重大计划）、项目负责人作为关键技术方完成了《半导体 CMP***工程化研制》（国防科工保密项目），已建成一条完整的纳米超高纯硅溶胶中试线，并顺利完成验收。