基于先进材料融合的高性能计算加速方案

离岸基地

本项目致力于研发基于硒化锑相变材料的高性能存算一体芯片SPX-A1200。通过创新的纳米结构调控和存算一体化设计，实现了数据读取速度提升400倍、存储密度提升200%、静态功耗降至零的技术突破。项目已完成8英寸晶圆流片验证，进入小批量试产阶段，并与华为、寒武纪等头部企业达成合作意向，预计2025年实现规模化量产，推动国产高性能计算芯片的产业化进程。团队成员具备国际先进的材料科学、微纳结构、芯片架构、系统级集成设计经验，具有完整的高性能芯片研发、验证、封装、测试与市场推广能力。